当前位置：
化学气相沉积系统惭笔颁痴顿具有什么普遍的特点
更新时间：2021-08-18
点击次数：1828
微波等离子化学气相沉积系统MPCVD炉，通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。
化学气相沉积法之所以得到发展，是和它本身的特点分不开的，其特点如下：
1、沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。
2、CVD反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。
3、能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。
4、由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶*的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。
5、利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。
6、设备简单、操作维修方便。
7、反应温度太高，一般要850-1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住CVD的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。
化学气相沉积法之所以得到发展，是和它本身的特点分不开的，其特点如下：
1、沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。
2、CVD反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。
3、能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。
4、由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶*的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。
5、利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。
6、设备简单、操作维修方便。
7、反应温度太高，一般要850-1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住CVD的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。
